Добро пожаловать на первый и единственный сайт полностью посвященный BIOS
RLE Banner Network
  Главная   Новости   Матплаты   Видеокарты   Модемы   CDD   Программы   Документация   Конференция
  Описание настроек Setup BIOS

Установка параметров для FPM DRAM, EDO DRAM и Synchronous DRAM.

AUTO Configuration
DRAM RAS# Precharge Time
DRAM R/W Leadoff Timing
DRAM RAS to CAS Delay
DRAM Read Burst Timing
DRAM Read Latch Delay
Speculative Leadoff
Turn-Around Insertion
Data Integrity (PAR/ECC)
DRAM ECC/PARITY Select
Fast RAS# to CAS# Delay
SDRAM Configuration
SDRAM RAS Precharge Time
SDRAM (CAS Lat/RAS-to-CAS )
SDRAM CAS# Latency
SDRAM CAS to RAS Delay
SDRAM Banks Close Policy
Read Around Write
DRAM Idle Timer
Snoop Ahead
Host Bus Fast Data Ready
Refresh RAS# Assertion
MA Wait State
SDRAM Speculative Read
Auto Detect DIMM/PCI Clk
Spread Spectrum Modulated
RDRAM Pool B state
SDRAM Capability
SDRAM Operating Mode
SDRAM Cycle Time (Tras, Trc)
FSB:SDRAM:PCI Freq. Ratio
FSB/SDRAM/PCI Freq. (MHz)
System BIOS Cacheable
Video BIOS Cacheable

  • AUTO Configuration (автоматическая конфигурация) - имеет 3 значения
    • 60 ns - устанавливает парамеры доступа для DRAM с быстродействием 60 ns
    • 70 ns - то же для памяти с быстродействием 70 ns
    • Disabled (запрещена) - позволяет установить любые возможные параметры доступа к DRAM памяти
  • DRAM RAS# Precharge Time (время предварительного заряда по RAS) - Эта функция позволяет определить количество тактов системной шины для формирования сигнала RAS. Уменьшение этого значение увеличивает быстродействие, но чрезмерное для конкретной памяти уменьшение может привести к потере данных. Принимает значения:
    • 3
    • 4
  • DRAM R/W Leadoff Timing (число тактов при подготовке выполнения операции чтения/записи) - определяет число тактов на шине до выполнения любых операций с DRAM. Параметр может принимать значения:
    • 8/7 - восемь тактов для чтения и семь тактов для записи
    • 7/5 - семь тактов для чтения и пять тактов для записи
  • DRAM RAS to CAS Delay (задержка между RAS и CAS) - Во время доступа к памяти обращения к столбцам и строкам выполняются отдельно друг от друга. Этот параметр и определяет отстояние одного сигнала от другого. Параметр может принимать значения:
    • 3 - три такта задержки
    • 2 - два такта задержки
      Уменьшение значения увеличивает быстродействие.
  • DRAM Read Burst Timing (время пакетного чтения памяти) - Запрос на чтение и запись генерируется процессором в четыре раздельные фазы. В первой фазе инициируется обращение к конкретной области памяти, а в оставшихся происходит собственно чтение данных. Параметр может принимать значения:
    • x2222 - два такта задержки
    • x3333 - три такта задержки
    • x4444 - четыре такта задержки
      Уменьшение суммарного количества тактов увеличивает быстродействие.
  • DRAM Read Latch Delay - (задержка снятия данных при чтении) - параметр устанавливает задержку между появлением данных в регистре памяти и их чтением. Большее значение уменьшает быстродействие, но увеличивает стабильность. Может принимать значения: [0.0 ns], [0.5 ns], [1.0 ns] и [1.5 ns]
  • Speculative Leadoff (опережающая выдача сигнала чтения) - разрешение этого параметра позволяет выдавать сигнал чтения немного ранее, чем адрес будет декодирован. Этот прием снижает общие затраты времени на операцию чтения. Другими словами, процессор будет инициировать сигнал чтения одновременно с генерацией того адреса, где находятся необходимые данные. Сигнал чтения воспринимается контроллером DRAM и, если параметр Speculative Leadoff разрешен, то контроллер выдаст сигнал чтения до завершения декодирования адреса. Может принимать значения:
    • Enabled - разрешено
    • Disabled - запрещено
  • Turn-Around Insertion (задержка между циклами) - Если этот параметр разрешен (Enabled), то между двумя последовательными циклами обращения к памяти включается один дополнительный такт. Разрешение уменьшает быстродействие, но увеличивает достоверность при операциях чтения/записи. Может принимать значения:
    • Enabled - разрешено
    • Disabled - запрещено
  • Data Integrity (PAR/ECC) (целостность данных) - разрешает/запрещает контроль памяти на ошибки. Вид контроля устанавливается параметром DRAM ECC/PARITY Select. Может принимать значения:
    • Enabled - разрешено
    • Disabled - запрещено
  • DRAM ECC/PARITY Select (режим коррекции ошибок/проверка по четности) - Параметр появляется только в тех материнских платах, в которых chipset поддерживает ECC и только в том случае, если установлены модули памяти с истинной четностью. В некоторых вариантах BIOS этим параметром может устанавливаться только вид проверки, а разрешение на проверку устанавливается параметром Data Integrity (PAR/ECC). Такие планки часто называют также 36-разрядными. Может принимать значения:
    • Parity - в случае возникновения ошибки на монитор выдается сообщение о сбое по четности в памяти и работа компьютера останавливается
    • ECC -Error Control Correction- в случае возникновения одиночной ошибки она исправляется и работа продолжается. Если имеет место не одиночная ошибка, то работа компьютера также прекращается. Следует только учесть, что по данным Intel, скорость обмена с памятью при включении этого режима уменьшается приблизительно на 3%
  • Fast RAS# to CAS# Delay (интервал между RAS и CAS) - При регенерации памяти строки и столбцы адресуются отдельно, поэтому этот параметр устанавливает интервал между сигналами RAS и CAS.
  • SDRAM Configuration (Конфигурация SDRAM) - параметром определяется, должна ли программа BIOS сама определять временные характеристики доступа к памяти на основании информации из блока SPD или разрешить это сделать пользователю. Может принимать значения:
    • By SPD - параметры доступа устанавливаются по SPD
    • 7 ns (143 Mhz) - параметры доступа устанавливаются BIOS как для памяти с временем доступа 7 ns и частотой шины 143 MHz
    • 8 ns (125 Mhz) - параметры доступа устанавливаются BIOS как для памяти с временем доступа 8 ns и частотой шины 125 MHz
    • Disabled - устанавливаются пользователем
  • SDRAM RAS Precharge Time (Cинхронная память - время предварительного заряда) - параметр позволяет определять быстрое или медленное накопление заряда по RAS до начала цикла регенерации памяти. Установка значения Fast увеличивает быстродействие, но Slow повышает стабильность работы компьютера, поэтому значение Fast следует устанавливать в случае уверенности в качестве памяти. Может принимать значения:
    • Fast -быстро
    • Slow - медленно
  • SDRAM (CAS Lat/RAS-to-CAS ) (Cинхронная память - задержка CAS/От RAS к CAS) - этот параметр позволяет комбинировать между длительностью сигнала CAS и задержкой между сигналами RAS и CAS. Значение этого параметра зависит от характеристик SDRAM, примененной в материнской плате и от быстродействия процессора. Поэтому изменять этот параметр стоит крайне осторожно. Может принимать значения:
    • 2/2
    • 3/3
  • SDRAM CAS to RAS Delay (задержка между CAS и RAS) - параметр определяет значение задержки после выдачи сигнала RAS до появления сигнала CAS для синхронной памяти. Чем меньше это значение, тем быстрее доступ к памяти. Тем не менее изменять его следует осторожно. Параметр может принимать значения:
    • 3 - три такта задержки
    • 2 - два такта задержки
  • SDRAM CAS# Latency (задержка CAS для SDRAM) - Устанавливает значение задержки выдачи сигнала CAS для SDRAM. Меньшее значение увеличивает производительность системы. Рекомендуется устанавливать меньшее значение для SDRAM с быстродействием 10 nc или лучше.Может принимать значения:
    • 2T
    • 3T
  • SDRAM Banks Close Policy (правила закрытия банков SDRAM памяти) - параметр был введен для плат с набором 440LX из-за того, что память с 2-х банковой организацией некорректно работает в этих платах, если параметры доступа к банкам памяти установлены по умолчанию. В наборе 430TX этого не требовалось, так правила доступа для различной памяти были одинаковы. Изменять установки BIOS по умолчанию для этого параметра следует только в случае нестабильной работы памяти. Может принимать значения:
    • Page Miss - используется для двухбанковой памяти
    • Arbitration - для памяти из 4-х банков
  • Read Around Write (чтение на записи) - после разрешения этого параметра, если требуется прочитать только что записанные и сохраненные в буфере SDRAM данные, выполняется чтение из буфера без обращения к собственно памяти. Разрешение ускоряет работу с памятью, но этот режим не всегда может быть поддержан со стороны конкретных модулей SDRAM, поэтому применять его следует осторожно. Может принимать значения:
    • Enabled - разрешено
    • Disabled - запрещено
  • DRAM Idle Timer  (Таймер пассивного состояния памяти) - этим параметром устанавливается время (в тактах) до закрытия всех открытых страниц памяти. Влияет как на EDO так и на SDRAM память. Может принимать значения 0, 2, 4, 8, 10, 12, 16, 32.
  • Snoop Ahead (Предвидение) - разрешение этого параметра позволяет потоковый обмен данными между PCI и памятью. Может принимать значения:
    • Enabled - разрешено
    • Disabled - запрещено
  • Host Bus Fast Data Ready (Быстрая готовность данных на шине) - разрешение этого параметра позволит снимать данные с шины одновременно с их выборкой. В противном случае данные будут удерживаться на шине один дополнительный такт. Может принимать значения:
    • Enabled - разрешено
    • Disabled - запрещено
  • Refresh RAS# Assertion (задание RAS для регенерации) - Этим параметром устанавливается количество тактов (т.е. длительность RAS) для цикла регенерации. Принимаемые значения определяются качеством памяти и набором микросхем (chipset). Меньшее значение увеличивает производительность.
  • MA Wait State (такты ожидания до чтения памяти) - параметр позволяет установить или снять дополнительный такт ожидания до начала чтения памяти. Для памяти типа EDO один такт всегда есть по умолчанию и установка значения Slow добавляет еще один такт ожидания. Для SDRAM нет такта ожидания по умолчанию и установка Slow один такт вводит. Может принимать значения:
    • Slow - добавляется один такт
    • Fast - нет дополнительного такта ожидания
  • SDRAM Speculative Read (SDRAM опережающее чтение) - разрешение этого параметра позволяет выдавать сигнал чтения немного ранее, чем адрес будет декодирован. Этот прием снижает общие затраты времени на операцию чтения. Другими словами, процессор будет инициировать сигнал чтения одновременно с генерацией того адреса, где находятся необходимые данные. Сигнал чтения воспринимается контроллером DRAM и, если параметр SDRAM Speculative Read разрешен, то контроллер выдаст сигнал чтения до завершения декодирования адреса. Может принимать значения:
    • Enabled - разрешено
    • Disabled - запрещено
  • Auto Detect DIMM/PCI Clk (Автоопределение тактовой частоты для DIMM/PCI) - смысл этого параметра подобен Spread Spectrum Modulated, но его применение более безопасно для системы. Если параметр разрешен, то BIOS снимает подачу тактовой частоты на свободные слоты PCI и свободные слоты под DIMM модули. Кроме этого, BIOS может снять сигнал тактовой частоты с тех PCI плат, к которым нет обращений. Цель всех действий по снятию сигнала Clk - снизить электромагнитное излучение. Если необходимости в таком понижении излучения нет, лучше оставить параметр запрещенным, так как некий риск получения более нестабильной системы при его разрешении все-таки есть. Может принимать значения:
    • Enabled - разрешено
    • Disabled - запрещено
  • Spread Spectrum Modulated (Спред модулированного спектра) - разрешение этого параметра позволяет уменьшить электромагнитное излучение от компьютера за счет уменьшения значения выбросов сигнала тактового генератора. Уменьшение может достигать 6%. Следует заметить, что это может отрицательно отразиться на работе чувствительных к форме сигнала устройств, например, жестких дисках с интерфейсом Fast Wide SCSI, поэтому параметр рекомендуется разрешать только при испытаниях компьютеров на электромагнитную совместимость. Может принимать значения:
    • Enabled - разрешено
    • Disabled - запрещено
  • RDRAM Pool B state (состояние пула Rambus памяти) - параметр устанавливает "глубину" энергосбережения при работе с Rambus памятью. Может принимать значения:
    • Nap - наиболее глубокое энергосбережение и наиболее долгое "пробуждение"
    • Standby - менее глубокое энергосбережение и быстрое "пробуждение"
  • SDRAM Capability (возможности SDRAM) - информационный параметр. Сообщает о типе установленной в компьютере памяти. Правильное отображении значения это параметра требует правильного указания характеристик памяти в SPD модулей памяти. Может принимать значения PC100 или PC133 и изменению не подлежит. 
  • SDRAM Operating Mode (режим работы SDRAM) - информационный параметр. Сообщает о рабочей частоте памяти. Отображается в соответствии с установками в SETUP BIOS. Может принимать значения PC100 или PC133 и изменению не подлежит. 
  • SDRAM Cycle Time (Tras, Trc)  (Время обращения к SDRAM) - параметр позволяет управлять значениями параметров Tras и Trc. Tras определяет количество тактов между активной командой обращения к памяти и командой на предварительный заряд (prechardge). Trc определяет количество тактов между завершением регенерации памяти и командой RAS. Меньшие значения параметров увеличивают быстродействие, но уменьшают стабильность. Может принимать значения 5T, 7T или 6T, 8T.
  • FSB:SDRAM:PCI Freq. Ratio (соотношение частот системной шины, памяти и PCI) - параметр есть только в SETUP BIOS для тех наборов (chipset), которые поддерживают асинхронную работу системной шины, памяти и PCI, например, таких как Intel i815e. Именно с помощью этого параметра можно использовать память на 100 MHz с процессором, рассчитанном на шину 133 MHz. Может принимать значения: [66:100:33], [100:100:33], [133:133:33], [133:100:33]. 
  • FSB/SDRAM/PCI Freq. (MHz) (выбор частоты системной шины/памяти/PCI) - позволяет выбрать конкретные значения частот шины, памяти и PCI, исходя из соотношения, установленного параметром FSB:SDRAM:PCI Freq. Ratio. Конкретные значения параметра определяются производителем материнской платы.

Установка параметров для кэш-памяти

  • System BIOS Cacheable (кэширование области BIOS системы) - Разрешение этого параметра приводит к появлению возможности кэширования области памяти по адресам системного BIOS с F0000H по FFFFFH в кэш-память. Параметр будет использован только в том случае, если использование кэш-памяти разрешено в разделе BIOS Features Setup. Если какая-либо программа попытается выполнить операцию записи в эти адреса, то система выдаст сообщение об ошибке. Может принимать значения:
    • Enabled - разрешено
    • Disabled - запрещено
  • Video BIOS Cacheable (кэширование области BIOS видекарты) - Разрешение этого параметра приводит к появлению возможности кэширования области памяти по адресам BIOS видеокарты с C0000H по C7FFFH в кэш-память. Параметр будет использован только в том случае, если использование кэш-памяти разрешено в разделе BIOS Features Setup. Если какая-либо программа попытается выполнить операцию записи в эти адреса, то система выдаст сообщение об ошибке. Может принимать значения:
    • Enabled - разрешено
    • Disabled - запрещено

[ предыдущий раздел ] [ следующий раздел ]


  Главная   Новости   Матплаты   Видеокарты   Модемы   CDD   Программы   Документация   Конференция
List Banner Exchange
  Статистика

TopList Яндекс цитирования
Rambler's Top100 be number one